Semicondutor composto

Desafios e tendências futuras

Esta crescente demanda do mercado por dispositivos (opto)eletrônicos de alto desempenho, alta potência e alta frequência está levando a indústria de semicondutores compostos de hoje a enfrentar novos desafios. GaN e SiC são os materiais de escolha para eletrônicos de alta potência. Os VCSELs baseados em GaAs são amplamente usados para reconhecimento facial em telefones celulares, enquanto a tecnologia GaN revolucionou os dispositivos HEMT de alta frequência e iluminação LED. Inovações como filmes cristalinos finos com propriedades ópticas e elétricas personalizadas, a melhoria contínua de processos de produção de alto volume e o gerenciamento de qualidade aprimorado são todos necessários para aumentar o rendimento e controlar os custos de produção desses dispositivos. É aqui que a metrologia de raios X se torna uma ferramenta comprovada e ideal para ajudar o setor a atingir essas metas de forma eficiente.

As ferramentas de metrologia baseadas em técnicas de raios X (XRD, XRR, e XRF) foram comprovadas como confiáveis e poderosas. Nenhuma outra técnica oferece a combinação única de benefícios que as técnicas de raios X proporcionam: medição não destrutiva, exatidão, precisão e análise absoluta para a investigação ex situ de camadas epitaxiais, heteroestruturas e sistemas de supercela.

Nossas soluções de semicondutores compostos

A Malvern Panalytical colaborou diretamente com a indústria de semicondutores compostos desde seus primórdios para estabelecer XRD e XRF como ferramentas de metrologia padrão da indústria. Essa longa experiência significa que entendemos os problemas analíticos de nossos clientes, o que nos permite oferecer soluções de controle eficientes e automatizadas para aplicações desde pesquisa e desenvolvimento até produção em grande escala de semicondutores.

Difração de raio X

X'Pert3 (X'Pert3 MRD e X'Pert3 MRD XL) é uma plataforma de XRD para curva de oscilação de alta resolução, refletividade de raios X e análise de mapa recíproco ultrarrápido (URSM). Ele fornece informações absolutas e precisas sobre os parâmetros de crescimento do cristal, como composição do material, espessura do filme, perfil de classificação, fase e qualidade da interface. Parâmetros de qualidade cristalina, como mosaicidade e densidade do defeito, também podem ser estimados nessas medições. Além disso, uma plataforma de MRD também pode ser usada para formação de imagens topográficas de alta resolução de defeitos em substratos e filmes finos. O instrumento pode ser usado em ambientes de pesquisa e produção. No processo de produção, ele pode ser combinado com o carregamento automático de wafer.

Nossa nova linha de orientação de cristal de alta velocidade utiliza a tecnologia de varredura azimutal para determinar a orientação da rede cristalina e retorna resultados em apenas dez segundos. Capazes de caracterizar uma ampla variedade de materiais, as bancadas SDCOM e DDCOM oferecem alta velocidade sem comprometer a precisão, enquanto o Omega/Theta oferece a mais alta precisão e flexibilidade, e o Wafer XRD permite triagem de alto rendimento com opções avançadas de classificação para controle final do wafer. Enquanto isso, a ferramenta XRD-OEM fornece uma solução integrada para orientação de cristal em linha diretamente dentro de dispositivos de processamento de cristal, como retificadoras e serras de fio.

Fluorescência de raios X

A XRF (2830 ZT) fornece informações de espessura e composição de uma ampla gama de filmes finos, com níveis de contaminação e dopantes e uniformidade da superfície. Ela pode analisar espessuras até metade de uma camada atômica.