화합물 반도체

화합물 반도체를 위한 박막 계측학

당면 과제 및 향후 트렌드

고성능(opto) 전자 기기, 고출력, 고주파수 장치에 대한 시장의 수요가 증가함에 따라 오늘날의 화합물 반도체 업계는 새로운 과제를 해결해야 합니다. GaN과 SiC는 고전력 전자 제품을 위한 최고의 재료입니다. GaAs 기반 VCSEL은 휴대전화의 얼굴 인식에 널리 사용되고, GaN 기술은 LED 조명 및 고주파 HEMT 장치에 혁신을 가져왔습니다. 광학 및 전기적 특성에 맞춘 얇은 결정막 개발, 대량 생산 공정의 지속적인 개선, 품질 관리 향상은 모두 이러한 장치의 생산량을 늘리고 비용을 관리하는 데 필요합니다. X선 도량형은 검증된 이상적인 도구로, 업계에서 이러한 목표를 효율적으로 실현하도록 지원합니다. 

X선 기법(XRD, XRR, XRF)을 기반으로 한 도량형 도구는 안정적이고 강력한 것으로 입증되었습니다. 다른 어떤 기법도 X선 기법만큼 에피택시층, 이종 구조 및 초격자 시스템의 현장 외 조사를 위한 절대 분석, 비파괴적 측정, 정확도, 정밀도로 이루어진 장점을 제공하지 않습니다. 

당사의 화합물 반도체 솔루션

Malvern Panalytical은 XRD 및 XRF를 업계 표준 도량형 도구로 확립하기 위해 산업 초창기부터 화합물 반도체 산업과 긴밀한 협력했습니다. 이러한 오랜 경험은 당사가 고객이 분석 시 겪는 문제를 이해하고 R&D에서 대량 반도체 대량 생산에 이르는 응용 분야에 효율적이고 자동화된 제어 솔루션을 제공할 수 있음을 의미합니다.

X선 회절 

X'Pert3(X'Pert3 MRDX'Pert3 MRD XL)은 고분해능 로킹 곡선, X선 반사 및 초고속 역격자 지도(URSM) 분석을 위한 XRD 플랫폼입니다. 재료 조성, 막 두께, 등급 프로파일, 위상 및 인터페이스 품질과 같은 결정 성장 매개변수에 대한 절대적이고 정확한 정보를 제공합니다. 모자익시티 및 결손 밀도와 같은 결정질 매개 변수는 이러한 측정에서도 추정할 수 있습니다. 또한 기질 및 박막 결함의 고해상도 지형 이미징에도 MRD 플랫폼을 사용할 수 있습니다. 이 기기는 연구 및 생산 환경 모두에서 사용할 수 있습니다. 생산 과정에서 자동 웨이퍼 로드와 결합될 수 있습니다. 

당사의 새로운 고속 결정 방향 범위는 방위각 스캔 기술을 사용하여 결정 격자 방향을 결정하고 단 10초 만에 결과를 생성합니다. 다양한 물질의 특성을 분석할 수 있는 탁상용 SDCOMDDCOM은 정확도를 저하하지 않으면서도 높은 속도를 제공하고, Omega/Theta 는 최고의 정확도와 유연성을 제공하며, Wafer XRD는 웨이퍼 측 제어를 위한 고급 선별 옵션을 통해 높은 처리량을 갖춘 스크리닝을 가능하게 합니다. 한편, XRD-OEM 도구는 분쇄기 및 실톱과 같은 결정 처리 장치 내부에서 직접 인라인 결정 방향을 위한 통합 솔루션을 제공합니다. 

X선 형광 

XRF(2830 ZT)는 오염과 도펀트 수준, 표면 균일성을 포함한 다양한 박막 물질에 대한 두께 및 조성 정보를 제공합니다. 원자층의 절반까지 두께를 분석할 수 있습니다. 

주요 성분

당사의 솔루션

2830 ZT

고급 반도체 박막 계측학 솔루션
2830 ZT

X'Pert³ MRD

다목적 연구 및 개발 XRD 시스템
X'Pert³ MRD

X'Pert³ MRD XL

다목적 연구, 개발 및 품질 관리 XRD 시스템
X'Pert³ MRD XL

결정 방향 범위

웨이퍼, 보울 및 기타 단결정 샘플의 빠르고 정확한 방향
결정 방향 범위