シリコン半導体

電子部品産業は、近年のシリコンSEMI、データストレージ、RAM、IC、およびRFフィルタ技術を背景にして急速に発展しており、その変化率は、ムーアの法則どおりに推移しています。 これらの小型装置は、医療、産業、政府の通信、PC、家電品、自動化、高度な電子装置に使用される先進の機能を備えた数多くのシステムの中核をなしています。 これらのほとんどのデバイスは、シリコンウェーハ基板に多層薄膜を施して使用しています。 X線ウェーハ計測トルツメは、重要な装置パラメータを監視/制御するためのシリコンSEMI製造の不可欠な部分です。

これらの高度な薄膜装置に使用されている一般的な物質には、数ミクロンから単分子層までの薄さを持つ半導体、金属合金、誘電体、ポリマーがあります。 新しい装置を理解、強化、設計するには、多段階生成プロセスのあらゆる段階で、層厚、結晶相、合金組成、ひずみ、結晶化、密度、および界面形態などの鍵となる薄膜特性を測定することが不可欠です。 これは、製造プロセスを制御するために使用するX線分析に対する大きな課題を提示しています。機器は、開発工程から高まる半導体ウェーハ分析の厳しい要求を満たす必要があります。