低掠角小角度 X 光散射 (GISAXS)

薄膜奈米材料是能源科技、太陽能光電材料、半導體裝置、光子學、聲學和催化作用等多個領域中的一大活躍研究領域。從 1990 年代初以來，奈米結構薄膜的合成方法快速增加。薄膜合成可與微影方法結合，通常用於提升奈米結構中的序化。

積體電路：
孔隙性二氧化矽薄膜通常用於積體電路，其中的孔隙率可控制電容的介電特性。這些奈米多孔材料可透過溶膠凝膠法，用雙親性嵌段共聚物進行合成。使用結構導向劑，即可製作出高序奈米多孔陣列。

磁性記憶裝置：
透過多種不同的處理路徑，可合成金屬和金屬氧化物陣列，用於電子和磁力應用。

光電和 LED：
先進分子束磊晶 (MBE) 和化學氣相沉積 (CVD) 方法可生產半導體量子點和奈米線，並用於光電應用。

催化作用：
貴金屬奈米粒子的薄膜和單分子層可用溶液相方法進行合成，並用於催化過程。
電池和天然氣儲存系統：
奈米孔隙率對於天然氣儲存相當重要。

品質控制：
反射法可提供介面品質的詳盡深度資訊，GISAXS 則可用於揭示橫向尺寸資訊，包括介面步驟和不規則性。

GISAXS 實驗可在 Empyrean 多功能繞射儀上進行。如要全方面瞭解 GISAXS 配置、GISAXS 校準和測量之部署指示，請參閱 Empyrean 使用者指南文件。

針對使用 Cu Kα 輻射的實驗，GISAXS 資料是以低角度收集，例如 0-3^o 範圍。此範圍非常適合使用 55μm 間距 PIXcel^3D 偵測器的 2D 成像。2D GISAXS 測量可使用 PIXcel^3D 和 PIXcel^3D 2X2 偵測器進行。極低的偵測器背景值可實現長計數時間，從而對弱散射進行觀察。