Wafer XRD 300

概覽

Wafer XRD 300 是快速的 X 光繞射系統，能夠分析 300 mm 的晶圓並提供晶體方向、直徑或缺口位置等幾何特徵，以及更多關鍵資料。專門用於所選製程步驟的晶圓處理前端。

方位角掃描方法只需一次測量旋轉即可收集所有必要資料來完全確定方向，並在 10 秒內提供結果，同時不會犧牲精確度。

樣品會旋轉 360^o，並將 X 光來源與偵測器放置到能夠在每次旋轉時達到特定反射次數的位置。這些反射能夠以高達 0.003^o 的高精確度，相對於旋轉軸測量晶格方向。

Wafer XRD 300 僅需短短 10 秒便能完成每個樣品的測量，可讓您檢查製程中的每個晶圓，在品質控制流程中強大且有效率。

由於低耗能及使用氣冷 X 光管而不需要水冷，Wafer XRD 300 的作業成本極低。

利用多種 MES、SECS/GEM 與相似介面，儀器可輕鬆整合至生產環境現有的製程中。

高度精準地測量矽晶圓晶體方向。

Wafer XRD 300 能讓您比以往更深入瞭解材料，可測量以下項目：

生產與處理: 自動化相關發展正在改變我們的產業，而實用且強效的 Wafer XRD 300 能助您以空前的速度管理方向測量，讓您與此改變的趨勢齊步並進。

品質控制: Wafer XRD 300 提供無與倫比的生產品質控制效率與靈活度，可在 10 秒內提供極準確的結果。; 它能與自訂自動化功能加以整合，有效因應 300mm 生產環境需求。