고분해능 X선 회절

현재 반도체 장치 구조는 대부분 실리콘, 실리콘-게르마늄, III-V 및 II-VI 화합물로 만든 기질 위에 가스 상을 애피택셜 방식으로 성장시킵니다. 이러한 막은 비교적 낮은 전이 밀도가 포함된 거의 완벽한 결정질 막입니다.

막 특성은 대부분 조성 매개변수와 구조 매개변수에서 결정됩니다. 고분해능 X선 광학 장치를 통해 로킹 곡선 및 역격자 공간 지도를 측정하여 층, 조성, 변형, 이완 및 구조 품질과 같은 정보를 얻습니다. X선 단층촬영과 같은 X선 회절 영상 처리 방법으로 결함의 공간 분포를 시각화할 수 있습니다.

에피택셜층, 헤테로 구조 및 초격자 시스템의 고분해능 X선 회절 실험에는 파장 확산이 잘 정의되고 각도 발산이 적은 고도의 단색 X선 빔이 필요합니다.

Malvern Panalytical의 X'Pert³ MRD (XL) 및 Empyrean 시스템에서는 HRXRD의 요구 사항을 충족합니다. 각 물질의 분해능 요구 사항을 충족하는 하이브리드 단색광 분광기와 고분해능 단색광 분광기를 폭넓게 선택할 수 있습니다. 고유한 PreFIX가 장착되어 있으므로 다시 정렬할 필요 없이 빠르고 간단하게 설비를 변경할 수 있습니다.

고급 사용자뿐만 아니라 작업자도 Epitaxy 및 Smoothfit 소프트웨어를 사용하여 로킹 곡선, 역격자 공간 지도와 웨이퍼 지도를 분석할 수 있습니다. 특허를 받은 알고리즘을 사용하여 로킹 곡선을 시뮬레이션하고 맞출 수 있습니다.