ウェハマッピング用装置
結晶方位または表面の歪みを調査およびマッピングするためのオプションの機能拡張。
当社独自のスキャン方式を使用して、完全な結晶方位を数秒で正確に決定します。DDCOMは、エネルギー消費と運用コストが低く効率的であるため、研究用途と産業用途の両方に最適です。
カタログダウンロード指先で簡単に超高速、正確(最大1/100°)の結晶方位を測定できます。DDCOMでは、上面照射の測定配置により、従来の方式よりも100倍以上の速さで信頼性の高い結果を取得し、時間をさらに節約できます。この汎用性の高い装置は、空冷式X線管球とポータブル設計を採用しているため、ランニングコストを削減し、利便性を最大限に高め、品質管理、マーキング、研究用途に最適です。
当社独自のスキャン方式は、試料の1回転スキャンだけで結晶方位の決定に必要なデータをすべて収集できるため、数秒で(単回転)で正確な結果が得られます。
材料固有の装置配置により、回転軸に対する結晶格子の方位を超高速で測定できるようになり、スキャン回転数に応じて精度が向上します。
DDCOMのコンパクトに設計より、システムはあらゆる設定に適合します。ソフトウェアは効果的かつ直感的で、さまざまなユーザーにとって使いやすく、簡単に操作することができます。
切削、研磨、ラッピングプロセスの制御を、最大1/100°の高精度で維持します。DDCOMは、単結晶の完全な格子方位を提供し、結晶方位の方位角の設定と結マーキング用に設計されています。
事前にプログラムされた結晶パラメータにより、さまざまな構造の任意の未知の方位を決定できるようになり、ワークフローを改良して効率を向上させることができます。さまざまなステージアクセサリにより、異なるプロセスステップでの測定が可能になります。
DDCOMは、さまざまなサンプルタイプを分析する必要がある研究環境と生産環境の両方に適した装備を備えています。DDCOMは、エネルギー消費が低く、冷却水が不要な空冷X線管球により、運用コストを節約できます。
この装置は、さまざまな構造を持つさまざまな材料を測定できるため、汎用性が高くあらゆる研究室で使用できます。測定可能な材料の例を次に示します。
技術仕様 | |
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X線源 | 30 W空冷X線管、Cuアノード |
検出器 | シンチレーションカウンター2個 |
試料ホルダ | 精密ターンテーブル、設定精度0.01°、定義されたサンプルの位置決めとマーキング用ツール |
物理的仕様 | |
寸法 | 600 mm×600 mm×850 mm |
重量 | 80 kg |
電源 | 100~230 V、500 W、単相 |
室温 | ≤ 30°C |
構成オプション | |
ウェハマッピング用装置(最大直径225 mm) | |
カセットからの自動ローディング用装置 | |
測定可能な材料の例 | |
立方晶/任意の不明な方向: Si、Ge、GaAs、GaP、AlAs、AlP、InP、NaCl、AgCl、CaF 2 | |
立方晶/特殊な方位: Ag、Au、Ni、Pt、GaSb、InAs、InSb、AlSb、ZnTe、CdTe、SiC 3C、PbS、PbTe、SnTe、MgO、LiF、MgAl 2 O 4 、SrTiO 3 、LaTiO 3 | |
正方晶: MgF 2 、TiO 2 、SrLaAlO 4 | |
六方晶/三方晶: SiC 2H、4H、6H、15R、GaN、ZnO、LiNbO 3 、SiO 2 (石英)、Al 2 O 3 (サファイア)、GaPO 4 、La 3 Ga 5 SiO 14 | |
斜方晶: Mg 2 SiO 4 、NdGaO 3 | |
お客様の要求に応じたその他の材料 |
結晶方位または表面の歪みを調査およびマッピングするためのオプションの機能拡張。
カセットからサンプルを自動ロードできるようにして、処理時間とワークフロー効率を向上させる追加ツール。