DDCOM
Ultra-fast, bottom surface measuring crystal orientation in a compact package
Les fonctionnalités incluent
- Benchtop device
- Higher throughput due to no height alignment
Un cristal est un motif répété d'atomes, ce qui signifie que ce que nous voyons du point de vue d'un électron/photon pénétrant dans ce cristal dépend de l'angle sous lequel nous regardons ce cristal. Il peut s'agir d'un canal traversant le cristal de part en part ou seulement les trois couches supérieures du matériau, de sorte que les propriétés du matériau peuvent être très différentes selon l'angle. Un bon contrôle des propriétés du matériau nécessite un bon contrôle de l'orientation du cristal.
Il s'agit d'un processus important pour l'implantation ionique, la lithographie, l'épitaxie, mais aussi, par exemple, pour la fabrication d'un laser ou de composants optiques.
La gamme Crystal Orientation est basée sur l'acquisition azimutale, une technique de mesure géométrique intelligente pour orienter des cristaux. Cela signifie que nous pouvons déterminer non seulement l'inclinaison de l'axe principal, mais aussi toutes les directions dans le plan en seulement 10 secondes. Les instruments peuvent mesurer pratiquement n'importe quelle forme à condition qu'il s'agisse d'un cristal unique, comme les wafers, les lingots, les boules, les palets, etc.
Ils sont bien conçus pour les applications industrielles telles que la fabrication de monocristaux ou de wafers et la recherche, mais aussi pour le contrôle qualité des wafers et d'autres dispositifs.
Nos systèmes Crystal Orientation de haute précision permettent de mesurer l'orientation des cristaux de manière simple et rapide, ce qui garantit que les propriétés souhaitées sont présentes pour les étapes de traitement suivantes.
Ultra-fast, bottom surface measuring crystal orientation in a compact package
Les fonctionnalités incluent
Ultra-fast, flexible, top surface measuring crystal orientation in a compact package
Les fonctionnalités incluent
Fully automated vertical three-axis X-ray diffractometer for ultra-fast crystal orientation
Les fonctionnalités incluent
Fast, precise and fully equipped solution for wafer orientation and sorting
Les fonctionnalités incluent
Integratable wafer orientation solution
Les fonctionnalités incluent
Fully automated in-line orientation and handling of ingots, boules, and pucks
Les fonctionnalités incluent
DDCOMMesure ultra-rapide de l'orientation du cristal sur la surface inférieure dans un boîtier compact |
SDCOMMesure ultra-rapide de la surface supérieure de l'orientation du cristal dans un boîtier compact |
Omega/ThetaDiffractomètre à rayons X vertical trois axes entièrement automatisé pour une orientation ultra-rapide des cristaux |
Wafer XRD 200Solution rapide, précise et entièrement équipée pour l'orientation et le tri des wafers |
Wafer XRD 300Votre solution intégrable d'orientation de wafers |
XRD-OEMOrientation et manipulation en ligne entièrement automatisées des lingots, boules et palets |
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Technologie | ||||||
Diffraction des rayons X (XRD) | ||||||
Orientation des cristaux | ||||||
Type de système | ||||||
Type de système | Paillasse | Paillasse | Posé au sol | Posé au sol | Posé au sol | Tête de mesure |
Supports | ||||||
Platine de cartographie | Non | |||||
Platine de broyage | Non | |||||
Platine d'empilage | Non | |||||
Réglages du tube | ||||||
Puissance du tube | 30 kV / 1 mA | 30 kV / 1 mA | 30 kV / 10 mA | 30 kV / 1 mA | 30 kV / 1 mA | 30 kV / 1 mA |
Système de refroidissement | Refroidissement par air | Refroidissement par air | Refroidissement par eau | Refroidissement par air | Refroidissement par air | Refroidissement par air |
Fonctionnalités | ||||||
Marquage | *De base | Non | ||||
Reconnaissance optique de géométrie | En option pour les boules | En option pour les boules | Bientôt disponible | |||
Rocking curves (qualité cristalline de l'échantillon) | Non | |||||
Theta-Scan (pour l'orientation avec fonctionnalités optiques de base uniquement) | Non | |||||
Spécifications | ||||||
Vitesse de traitement | 10 secondes ou + | Alignement en hauteur + 10 secondes | Alignement en hauteur + 10 secondes | 10 minutes pour 25 wafers | -- | En fonction de la machine |