Vous voulez en savoir plus sur la façon dont nos méthodes analytiques peuvent soutenir vos recherches en ingénierie électronique et dans le domaine des matériaux semi-conducteurs ? Que vous soyez étudiant, chercheur ou professeur, nous avons rassemblé quelques exemples d'application pertinents de nos solutions de recherche dans les domaines des semi-conducteurs et du traitement des dispositifs.
Les matériaux et l'équipement analytique utilisé dans ces exemples se recoupent avec la science et l'ingénierie des matériaux, ainsi qu'avec la physique et la physique appliquée, si bien que vous pourrez trouver des informations supplémentaires sur ces pages. Les abréviations des méthodes sont expliquées au bas de cette page.
Recherche sur les semi-conducteurs
Nos applications destinées à la recherche sur les semi-conducteurs impliquent principalement une diffraction des rayons X haute résolution des couches épitaxiales. Les couches minces par MBE, MOCVD ou CVD constituent des domaines en plein essor de recherche majeurs en ingénierie électronique et en physique. C'est là que nous retrouvons la plus forte concentration de nos applications XRD haute résolution. Le développement de nouveaux matériaux semi-conducteurs et la volonté de relever les nombreux défis liés à l'intégration de nouveaux matériaux à des dispositifs de travail constituent une quête permanente. Le tableau ci-dessous contient une sélection de notes d'application qui illustrent les mesures typiques effectuées sur les matériaux semi-conducteurs. Cliquez sur l'un des liens du tableau pour en savoir plus !
Recherche sur les semi-conducteurs |
Méthode |
Préparation |
Titre de la note d'application (lien) |
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Couches épitaxiales – recherche de réflexions |
HR-XRD |
Alliages GaN/InGaN |
Réflexions disponibles pour les XRD coplanaires et in-plane de GaN et d'alliages associés |
Couches épitaxiales – mesures rapides |
HR-XRD |
Plusieurs puits quantiques InGaN/GaN |
Mesures rapides par diffraction des rayons X sur des structures semi-conductrices |
Couches épitaxiales – stabilité thermique |
HR-XRD |
AlInN/GaN/Saphir |
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Couches épitaxiales – déformation, composition et épaisseur de couche |
HR-XRD |
Nitrure de gallium et composés apparentés |
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Couches épitaxiales – déformation, composition et épaisseur de couche |
HR-XRD |
GaAs sur Ge sur Si |
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Semi-conducteurs à bande étroite (IR) – composition du film, épaisseur |
Fluorescence X |
Films d'InxSy sur du verre |
Zetium – Analyse de couches d'InxSy sur du verre à l'aide de Stratos |
Polymères OLED – masse moléculaire |
GPC |
Poly(phénylène-vinylène) (PPV) dans du chloroforme ; 2) poly(fluorène-phénylènevinylène)(PF-PPV) dans du THF ; 3) polythiophène (PT) dans du chloroforme |
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Semi-conducteurs de pérovskite – défauts |
Topographie en réflexion |
Pérovskite LiTaO3 |
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Matériaux à changement de phase – identification de phase cristalline |
XRD/XRR |
Tellurure d'antimoine au germanium (Ge2Sb2Te5) PCM |
Combinaison de XRR et XRD pour l'étude in situ de matériaux à changement de phase |
Couches minces – méthodes in-plane |
XRD/HR-XRD |
Co-films sur disques durs, GaN sur saphir |
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Cellules solaires à couche mince – présentation |
XRD/HR-XRD |
Matériaux pour cellules solaires, généralités |
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Semi-conducteurs à large bande passante (UV) – qualité de couche mince |
XRD/XRR |
Films de ZnO sur du verre |
Traitement des dispositifs
L'analyseur de wafers de Malvern Panalytical n'est pas souvent employé dans la recherche universitaire, mais il est utile de montrer ici certains exemples de fabrication de processus dans lesquels il est utilisé pour mesurer la composition élémentaire et l'épaisseur de film. La découpe et le polissage des wafers constituent également une étape importante dans le traitement des dispositifs, et la caractérisation de la taille des particules est importante pour contrôler la qualité des slurrys de découpe et de polissage. Cliquez sur l'un des liens du tableau pour en savoir plus !
Traitement des dispositifs |
Méthode |
Préparation |
Titre de la note d'application (lien) |
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Films diélectriques – composition, épaisseur |
Fluorescence X |
Films diélectriques en verre borosilicaté (BPSG), bore, phosphore, silicium |
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Couches de barrière de diffusion – composition, épaisseur |
Fluorescence X |
Couches multiples de Cu/TaNx sur wafers de Si |
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Métallisation diffusion/liaison – épaisseur de composition |
Fluorescence X |
Couches de TiNx sur wafers de Si |
Analyse FP multiples de couches minces de TiNx sur des substrats de Si |
Couches épitaxiales – composition |
Fluorescence X |
Concentration en Ge dans des films de Si(1-x)Gex |
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Films ferroélectriques/diélectriques – composition, épaisseur |
Fluorescence X |
Films de titanate de baryum-strontium (BST) sur Pt |
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Couches de connexion en grille – épaisseur |
Fluorescence X |
Couches de tungstène (W) |
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Technologie de grille – épaisseur de couche |
Fluorescence X |
Dépôt de WSix sur du silicium |
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Couples multiples magnétorésistantes géantes – composition, épaisseur |
Fluorescence X |
Couches minces de Ta, NiMn, PtMn, CoFe, Cu, NiFe, Al2O3 |
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Couches d'interconnexion – composition, épaisseur |
Fluorescence X |
Couches d'interconnexion de AlCu sur substrat de S |
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Couches de passivation – épaisseur |
Fluorescence X |
Couches minces de Ni-Ta sur du Si |
Zetium – analyse de couches minces de Ni-Ta à l'aide de Stratos |
Têtes de lecture/écriture pour disques durs – épaisseur de couche |
Fluorescence X |
Films de CoNiFe sur disques durs |
Contrôle de procédé en ligne de couches de CoNiFe dans la fabrication de têtes de lecture/écriture |
Suspension de découpe de wafers – taille des particules et forme |
Imagerie |
Carbure de silicium – slurry abrasive |
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Slurry de polissage de wafers – taille des particules |
ELS/DLS |
Particules à base de silice dans une solution de sel d'ammoniac, particules à base de silice dans une solution de KOH |
Caractérisation d'échantillons de slurry de SiO2 utilisées dans le polissage chimico-mécanique |
Slurry de polissage de wafers – potentiel zêta |
ELS |
Particules de SiO2 ou Al2O3 |
Mesure du potentiel zêta de dispersions de slurry de CMP hautement concentrées |
Explication des acronymes
Nos produits et technologies sont décrits sur les pages Produits. Vous trouverez ci-dessous un guide de référence rapide aux propriétés mesurées par nos instruments, avec le nom de la mesure et son acronyme. Cliquez sur chaque méthode pour en savoir plus !
Abréviation |
Nom de la méthode |
Instrument(s) |
Propriété mesurée |
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DLS |
Zetasizer |
Taille moléculaire, rayon hydrodynamique RH, taille des particules, distribution de taille, stabilité, concentration, agglomération |
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ELS |
Zetasizer |
potentiel zêta, charge des particules, stabilité de la suspension, mobilité des protéines |
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ITC |
MicroCal ITC |
Affinité de liaison, thermodynamique des réactions moléculaires en solution |
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DSC |
DSC Microcal |
Dénaturation des grosses molécules, stabilité des macromolécules |
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GCI |
Creoptix WAVEsystem |
Cinétique de liaison en temps réel et affinité de liaison, sans marquage avec fluidique |
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IMG |
Morphologi 4
|
Imagerie des particules, mesure automatisée de la forme et de la taille
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MDRS |
Morphologi 4-ID |
Imagerie des particules, mesure automatisée de la forme et de la taille, identification chimique et détection des contaminants |
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LD |
Mastersizer Spraytec Insitec Parsum |
Taille des particules, distribution de taille |
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NTA |
NanoSight |
Taille des particules, distribution de taille et concentration |
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SEC ou GPC |
OMNISEC |
Taille moléculaire, masse moléculaire, état oligomérique, taille des polymères ou des protéines et structure moléculaire |
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SPE |
Le Neo LeDoser Eagon 2 Le OxAdvanced M4 rFusion |
Préparation d'échantillons de perles fondues pour XRF, préparation de solutions de peroxyde pour ICP, pesée du fondant pour la fabrication des perles |
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UV/Vis/NIR/SWIR |
Spectrométrie infrarouge ultra-violet/visible/proche infrarouge/à ondes courtes |
LabSpec FieldSpec TerraSpec QualitySpec |
Identification et analyse des matériaux, humidité, minéraux, teneur en carbone. Vérification sur le terrain pour les techniques spectroscopiques depuis le ciel et par satellite. |
PFTNA |
CNA |
Analyse élémentaire en ligne |
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XRD-C |
Aeris Empyrean |
Affinement de la structure des cristaux moléculaires, identification et quantification de la phase cristalline, rapport cristallin à amorphe, analyse de la taille des cristallites |
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XRD-M |
Empyrean X'Pert3 MRD(XL) |
Contrainte résiduelle, texture |
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XRD-CT |
Empyrean |
Imagerie 3D de solides, de la porosité et de la densité |
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SAXS |
Empyrean |
Nanoparticules, taille, forme et structure. |
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GISAXS |
Diffusion de rayons X aux petits angles en incidence rasante |
Empyrean |
Couches minces et surfaces nanostructurées |
HR-XRD |
Empyrean X'Pert3 MRD(XL) |
Couches minces et multicouches épitaxiales, composition, déformation, épaisseur, qualité |
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XRR |
Empyrean X'Pert3 MRD(XL) |
Couches et surfaces minces, épaisseur de film, rugosité de surface et d'interface |
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Fluorescence X |
Epsilon Zetium Axios FAST 2830 ZT |
Composition élémentaire, concentration élémentaire, éléments traces, détection de contaminants |