Análisis de epitaxia

Análisis de estructuras en capas epitaxiales

La difracción de rayos X de alta resolución  es una poderosa herramienta para el análisis estructural no destructivo de capas epitaxiales, heterostructuras y sistemas de superredes. 

Es una herramienta estándar utilizada en la producción industrial, así como durante la fase de desarrollo de estructuras de crecimiento epitaxial.

Patrones de datos de difracción

A partir de los patrones de difracción se puede obtener mucha información importante, incluida la siguiente: 

  • composición de aleación de capas epitaxiales
  • uniformidad de las capas epitaxiales
  • espesores de capa epitaxial
  • deformación y relajación de deformaciones, 
  • perfección cristalina relacionada con la densidad de dislocación

Incluso se puede investigar la formación de interdifusión e intermezcla de interfaces en determinadas circunstancias.

Análisis de los datos

A fin de lograr una rápida inspección, se pueden utilizar para el análisis las posiciones pico del sustrato y las capas. 

No obstante, en general se aplican simulaciones de patrón completo basadas en la teoría de dispersión dinámica para la determinación cuantitativa de parámetros relevantes.

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Tecnología
X-ray Diffraction (XRD)
Tipo de medición
Análisis de epitaxia
Identificación de fases
Cuantificación de fases
Rugosidad de interfaz
Metrología de película delgada
Esfuerzo residual
Análisis de textura
Análisis del espacio recíproco
Forma de partícula
Tamaño de partícula
Determinación de la estructura de cristal
Detección y análisis de contaminantes
Imágenes y estructuras 3D