Análisis de estructuras en capas epitaxiales
La difracción de rayos X de alta resolución es una poderosa herramienta para el análisis estructural no destructivo de capas epitaxiales, heterostructuras y sistemas de superredes.
Es una herramienta estándar utilizada en la producción industrial, así como durante la fase de desarrollo de estructuras de crecimiento epitaxial.
A partir de los patrones de difracción se puede obtener mucha información importante, incluida la siguiente:
Incluso se puede investigar la formación de interdifusión e intermezcla de interfaces en determinadas circunstancias.
A fin de lograr una rápida inspección, se pueden utilizar para el análisis las posiciones pico del sustrato y las capas.
No obstante, en general se aplican simulaciones de patrón completo basadas en la teoría de dispersión dinámica para la determinación cuantitativa de parámetros relevantes.
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|---|---|---|---|
| Tecnología | |||
| X-ray Diffraction (XRD) | |||
| Tipo de medición | |||
| Análisis de epitaxia | |||
| Identificación de fases | |||
| Cuantificación de fases | |||
| Rugosidad de interfaz | |||
| Metrología de película delgada | |||
| Esfuerzo residual | |||
| Análisis de textura | |||
| Análisis del espacio recíproco | |||
| Forma de partícula | |||
| Tamaño de partícula | |||
| Determinación de la estructura de cristal | |||
| Detección y análisis de contaminantes | |||
| Imágenes y estructuras 3D | |||
