Analyse des structures multicouches épitaxiées
La diffraction des rayons X haute résolution est un outil puissant pour l'analyse structurale non destructive des couches épitaxiées, des hétérostructures et des super réseaux.
Il s'agit d'un outil standard utilisé dans la production industrielle ainsi que lors de la phase de développement des structures cultivées épitaxiées.
Beaucoup d'informations importantes peuvent être obtenues à partir des figures de diffraction, y compris :
Même la formation d'interdiffusion et le mélange d'interfaces peuvent être étudiés dans certaines circonstances.
Dans le cadre d'une étude rapide, les positions de pic du substrat et des couches peuvent être utilisées pour l'analyse.
Cependant, en général, des simulations complètes de modèle basées sur la théorie de diffusion dynamique sont appliquées à la détermination quantitative des paramètres importants.
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|---|---|---|---|
| Technologie | |||
| Diffraction des rayons X (XRD) | |||
| Type de mesure | |||
| Analyse de l'épitaxie | |||
| Identification de phase | |||
| Quantification de la phase | |||
| Rugosité de l'interface | |||
| Métrologie des couches minces | |||
| Contraintes résiduelles | |||
| Analyse de texture | |||
| Analyse de réseau réciproque | |||
| Forme des particules | |||
| Taille des particules | |||
| Détermination de la structure cristalline | |||
| Détection et analyse de contaminants | |||
| Imagerie/structure 3D | |||
